GS1ME-TP
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Teilenummer | GS1ME-TP |
PNEDA Teilenummer | GS1ME-TP |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
Hersteller | Micro Commercial Co |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.930 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GS1ME-TP Ressourcen
Marke | Micro Commercial Co |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | GS1ME-TP |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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GS1ME-TP Technische Daten
Hersteller | Micro Commercial Co |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
Lieferantengerätepaket | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |