GS1M-TP
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| Teilenummer | GS1M-TP |
| PNEDA Teilenummer | GS1M-TP |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GS1M-TP Ressourcen
| Marke | Micro Commercial Co |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GS1M-TP |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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GS1M-TP Technische Daten
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AC (HSMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/679 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 600pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket U3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 460mV @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 300µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket TUMD2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 45ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 175V Kapazität @ Vr, F. 5pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial Lieferantengerätepaket DO-35 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Comchip Technology Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 370mV @ 10mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 7µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0201 (0603 Metric) Lieferantengerätepaket 0201/DFN0603 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
