GP2D003A065C
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| Teilenummer | GP2D003A065C |
| PNEDA Teilenummer | GP2D003A065C |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2 |
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.286 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GP2D003A065C Ressourcen
| Marke | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GP2D003A065C |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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GP2D003A065C Technische Daten
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Serie | Amp+™ |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 3A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 200µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | 158pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252-2L (DPAK) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 250mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 250mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 400ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 20ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220FP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 12A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 240µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 438pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FM Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1400V Current - Average Rectified (Io) 150A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 150A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 20mA @ 1400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AA (DO-8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 200°C |
