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GP10YE-M3/73

GP10YE-M3/73

Nur als Referenz

Teilenummer GP10YE-M3/73
PNEDA Teilenummer GP10YE-M3-73
Beschreibung DIODE GEN PURPOSE DO204AL
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.470
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GP10YE-M3/73 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGP10YE-M3/73
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
GP10YE-M3/73, GP10YE-M3/73 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 71,85 KB)
PDFGP10YE-M3/54 Datenblatt Cover
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GP10YE-M3/73 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie*
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GATELEADWH406XPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

TSS70L RWG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Current - Average Rectified (Io)

70mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

1005 (2512 Metric)

Lieferantengerätepaket

1005

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

BYT51J-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

EG01CV0

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.3V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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