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GP10GE-110E3/93

GP10GE-110E3/93

Nur als Referenz

Teilenummer GP10GE-110E3/93
PNEDA Teilenummer GP10GE-110E3-93
Beschreibung RECTIFIER
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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GP10GE-110E3/93 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGP10GE-110E3/93
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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GP10GE-110E3/93 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/477

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 2.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SFF1603G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RBK82440XX

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2400V

Current - Average Rectified (Io)

4000A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.17V @ 3000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 2400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

CDBB560-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

210pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

EGP50GL-005E3/72

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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