GP10-4003E-M3/54
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| Teilenummer | GP10-4003E-M3/54 |
| PNEDA Teilenummer | GP10-4003E-M3-54 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GP10-4003E-M3/54 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GP10-4003E-M3/54 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
GP10-4003E-M3/54, GP10-4003E-M3/54 Datenblatt
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GP10-4003E-M3/54 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 51A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 67µA @ 420V Kapazität @ Vr, F. 970pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-PowerSOP Module Lieferantengerätepaket PG-HDSOP-10-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket Powermite Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 500mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200nA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Lieferantengerätepaket SOD-80 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
