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GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Nur als Referenz

Teilenummer GL41MHE3/96
PNEDA Teilenummer GL41MHE3-96
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GL41MHE3/96 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGL41MHE3/96
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
GL41MHE3/96, GL41MHE3/96 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 81,28 KB)
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GL41MHE3/96 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.8pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-213AB, MELF (Glass)
LieferantengerätepaketDO-213AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SF805G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MI3045S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MR754-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Button, Axial

Lieferantengerätepaket

Leaded Button

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MBR3100RLG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AA, DO-27, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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