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GI852-E3/54

GI852-E3/54

Nur als Referenz

Teilenummer GI852-E3/54
PNEDA Teilenummer GI852-E3-54
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.694
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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GI852-E3/54 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGI852-E3/54
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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GI852-E3/54 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.28pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-50°C ~ 150°C

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

120pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

MBR350RL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

740mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AA, DO-27, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

TPMR10D S1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

140pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

S3M-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SRAS2040 RNG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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