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GHXS030A120S-D1E

GHXS030A120S-D1E

Nur als Referenz

Teilenummer GHXS030A120S-D1E
PNEDA Teilenummer GHXS030A120S-D1E
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Hersteller Global Power Technologies Group
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GHXS030A120S-D1E Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGHXS030A120S-D1E
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GHXS030A120S-D1E, GHXS030A120S-D1E Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 546,64 KB)
PDFGHXS030A120S-D1E Datenblatt Cover
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GHXS030A120S-D1E Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieSilicon Carbide Schottky
Spannung - Peak Reverse (Max)1.2kV
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 30A
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 1200V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Current - Average Rectified (Io)

75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 150A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 1200V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

DBLS

GBPC3508M T0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

QC Terminal

Paket / Fall

4-Square, GBPC-M

Lieferantengerätepaket

GBPC-M

DBL107G C1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

DBL

GBJ1501

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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