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GF1M/1754

GF1M/1754

Nur als Referenz

Teilenummer GF1M/1754
PNEDA Teilenummer GF1M-1754
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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GF1M/1754 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGF1M/1754
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
GF1M/1754, GF1M/1754 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 79,85 KB)
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GF1M/1754 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214BA
LieferantengerätepaketDO-214BA (GF1)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

30A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 30A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

27µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-80EPF12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

480ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

MBR2H100SFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123FL

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

CMR1-04 TR13

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Hersteller

AVX Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

500mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

480mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

1206 (3216 Metric)

Lieferantengerätepaket

1206 (3216 Metric)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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