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GBU8J-M3/51

GBU8J-M3/51

Nur als Referenz

Teilenummer GBU8J-M3/51
PNEDA Teilenummer GBU8J-M3-51
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.274
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GBU8J-M3/51 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBU8J-M3/51
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBU8J-M3/51, GBU8J-M3/51 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 86,17 KB)
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GBU8J-M3/51 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBU
LieferantengerätepaketGBU

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

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Betriebstemperatur

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Serie

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Three Phase

Technologie

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Spannung - Peak Reverse (Max)

1.6kV

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D-63

VS-36MB05A

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1600V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

QC Terminal

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D-34

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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