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GBU8B-E3/51

GBU8B-E3/51

Nur als Referenz

Teilenummer GBU8B-E3/51
PNEDA Teilenummer GBU8B-E3-51
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $10,7789
100 ---------- $10,2736
250 ---------- $9,7684
500 ---------- $9,2631
750 ---------- $8,8421
1.000 ---------- $8,4210
Auf Lager 1.566
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GBU8B-E3/51 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBU8B-E3/51
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBU8B-E3/51, GBU8B-E3/51 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 89,85 KB)
PDFGBU8A-E3/45 Datenblatt Cover
GBU8A-E3/45 Datenblatt Seite 2 GBU8A-E3/45 Datenblatt Seite 3 GBU8A-E3/45 Datenblatt Seite 4

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GBU8B-E3/51 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)100V
Current - Average Rectified (Io)3.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 100V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBU
LieferantengerätepaketGBU

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.200", 5.08mm)

Lieferantengerätepaket

MB-1

APTDF30H601G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

42A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 30A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 600V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

KBU2508-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3.6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBU

Lieferantengerätepaket

KBU

VJ647M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Avalanche

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.1kV

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, VJ

Lieferantengerätepaket

VJ

GBL06L-5305E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL

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