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GBPC3508W-E4/51

GBPC3508W-E4/51

Nur als Referenz

Teilenummer GBPC3508W-E4/51
PNEDA Teilenummer GBPC3508W-E4-51
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $2,7771
250 ---------- $2,6469
500 ---------- $2,5167
1.000 ---------- $2,3866
2.500 ---------- $2,2781
5.000 ---------- $2,1696
Auf Lager 28
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GBPC3508W-E4/51 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBPC3508W-E4/51
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBPC3508W-E4/51, GBPC3508W-E4/51 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 628,35 KB)
PDFGBPC35005-E4/1 Datenblatt Cover
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  • GBPC3508W-E4/51 Distributor

GBPC3508W-E4/51 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)800V
Current - Average Rectified (Io)35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 17.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 800V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-Square, GBPC-W
LieferantengerätepaketGBPC-W

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, TS-6P

Lieferantengerätepaket

TS-6P

GBU6G-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBJA25005-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, JA

Lieferantengerätepaket

JA

483-01

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Technologie

-

Spannung - Peak Reverse (Max)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

3N259-E4/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3.14A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 165°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBPM

Lieferantengerätepaket

KBPM

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