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GBPC3508W

GBPC3508W

Nur als Referenz

Teilenummer GBPC3508W
PNEDA Teilenummer GBPC3508W
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $1,7096
250 ---------- $1,6294
500 ---------- $1,5493
1.000 ---------- $1,4692
2.500 ---------- $1,4024
5.000 ---------- $1,3356
Auf Lager 2.024
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GBPC3508W Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBPC3508W
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBPC3508W, GBPC3508W Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 643,93 KB)
PDFGBPC3510T Datenblatt Cover
GBPC3510T Datenblatt Seite 2 GBPC3510T Datenblatt Seite 3 GBPC3510T Datenblatt Seite 4

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GBPC3508W Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)800V
Current - Average Rectified (Io)35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 17.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 800V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-Square, GBPC-W
LieferantengerätepaketGBPC-W

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, GBPC-W

Lieferantengerätepaket

GBPC-W

SC3BH2F

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

QC Terminal

Paket / Fall

4-Rectangle

Lieferantengerätepaket

-

BR35005W-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, BR-W

Lieferantengerätepaket

BR-W

GSIB6A60-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2.8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GSIB-5S

Lieferantengerätepaket

GSIB-5S

VS-36MB05A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1600V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

QC Terminal

Paket / Fall

4-Square, D-34

Lieferantengerätepaket

D-34

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