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GBPC2501W-E4/51

GBPC2501W-E4/51

Nur als Referenz

Teilenummer GBPC2501W-E4/51
PNEDA Teilenummer GBPC2501W-E4-51
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 100V 25A GBPC-W
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.588
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GBPC2501W-E4/51 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBPC2501W-E4/51
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBPC2501W-E4/51, GBPC2501W-E4/51 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 628,35 KB)
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  • GBPC2501W-E4/51 Distributor

GBPC2501W-E4/51 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)100V
Current - Average Rectified (Io)25A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 12.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 100V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-Square, GBPC-W
LieferantengerätepaketGBPC-W

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Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-ESIP

Lieferantengerätepaket

GBU

YBS2205G RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2.2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

970mV @ 2.2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

YBS

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Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-ESIP

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-

Diodentyp

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Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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