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GBLA10-E3/51

GBLA10-E3/51

Nur als Referenz

Teilenummer GBLA10-E3/51
PNEDA Teilenummer GBLA10-E3-51
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.768
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GBLA10-E3/51 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBLA10-E3/51
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBLA10-E3/51, GBLA10-E3/51 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 86,36 KB)
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GBLA10-E3/51 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1kV
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 4A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBL
LieferantengerätepaketGBL

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

-

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Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBJ

Lieferantengerätepaket

GBJ

GBU4D-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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GeneSiC Semiconductor

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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