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GBJ802

GBJ802

Nur als Referenz

Teilenummer GBJ802
PNEDA Teilenummer GBJ802
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBJ
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.704
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GBJ802 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBJ802
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBJ802, GBJ802 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 74,86 KB)
PDFGBJ810 Datenblatt Cover
GBJ810 Datenblatt Seite 2 GBJ810 Datenblatt Seite 3

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GBJ802 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)200V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 4A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBJ
LieferantengerätepaketGBJ

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 25A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

KBP151G C2

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBP

Lieferantengerätepaket

KBP

VS-111MT80KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

110A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

MT-K

TS35P07GHC2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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