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GBJ2510TB

GBJ2510TB

Nur als Referenz

Teilenummer GBJ2510TB
PNEDA Teilenummer GBJ2510TB
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
Hersteller SMC Diode Solutions
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GBJ2510TB Ressourcen

Marke SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBJ2510TB
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBJ2510TB, GBJ2510TB Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 387,18 KB)
PDFGBJ2508TB Datenblatt Cover
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GBJ2510TB Technische Daten

HerstellerSMC Diode Solutions
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1kV
Current - Average Rectified (Io)25A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 12.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1000V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-ESIP
LieferantengerätepaketGBJ

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

DBL

0546260000

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Hersteller

Weidmuller

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

-

Spannung - Peak Reverse (Max)

240V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-30°C ~ 40°C (TA)

Montagetyp

DIN Rail

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GBU1010-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

DB157G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Lieferantengerätepaket

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