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GBJ2510-F

GBJ2510-F

Nur als Referenz

Teilenummer GBJ2510-F
PNEDA Teilenummer GBJ2510-F
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis
1 ---------- $2,1701
250 ---------- $2,0684
500 ---------- $1,9667
1.000 ---------- $1,8649
2.500 ---------- $1,7802
5.000 ---------- $1,6954
Auf Lager 518
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GBJ2510-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBJ2510-F
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
GBJ2510-F, GBJ2510-F Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 144,36 KB)
PDFGBJ2510 Datenblatt Cover
GBJ2510 Datenblatt Seite 2 GBJ2510 Datenblatt Seite 3 GBJ2510 Datenblatt Seite 4

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GBJ2510-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1kV
Current - Average Rectified (Io)25A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.05V @ 12.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1000V
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBJ
LieferantengerätepaketGBJ

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Circular, WOG

Lieferantengerätepaket

WOG

W005G

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Circular, WOG

Lieferantengerätepaket

WOG

G3SBA20L-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2.3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

TS6P04G C2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, TS-6P

Lieferantengerätepaket

TS-6P

GBU10B

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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