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GBJ2502-G

GBJ2502-G

Nur als Referenz

Teilenummer GBJ2502-G
PNEDA Teilenummer GBJ2502-G
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ
Hersteller Comchip Technology
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Auf Lager 5.562
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GBJ2502-G Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBJ2502-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter

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GBJ2502-G Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)200V
Current - Average Rectified (Io)25A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 12.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 200V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBJ
LieferantengerätepaketGBJ

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Diodentyp

-

Technologie

-

Spannung - Peak Reverse (Max)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

GBPC4008M T0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 20A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

QC Terminal

Paket / Fall

4-Square, GBPC40-M

Lieferantengerätepaket

GBPC40-M

DBL107GHC1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

DBL

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL

1N4436

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Technologie

-

Spannung - Peak Reverse (Max)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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