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GBJ2501-03-G

GBJ2501-03-G

Nur als Referenz

Teilenummer GBJ2501-03-G
PNEDA Teilenummer GBJ2501-03-G
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4.2A GBJ
Hersteller Comchip Technology
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Auf Lager 7.596
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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GBJ2501-03-G Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGBJ2501-03-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter

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GBJ2501-03-G Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)100V
Current - Average Rectified (Io)4.2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 12.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBJ
LieferantengerätepaketGBJ

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

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Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

960mV @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, GBPC-1

Lieferantengerätepaket

GBPC1

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

7.2kV

Current - Average Rectified (Io)

1.8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

UGB-3

Lieferantengerätepaket

UGB-3

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.8kV

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 150A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 1600V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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