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GB02SHT03-46

GB02SHT03-46

Nur als Referenz

Teilenummer GB02SHT03-46
PNEDA Teilenummer GB02SHT03-46
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 300V 4A
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 7.440
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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GB02SHT03-46 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGB02SHT03-46
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
GB02SHT03-46, GB02SHT03-46 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 374,2 KB)
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GB02SHT03-46 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Current - Average Rectified (Io)4A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.6V @ 1A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F.76pF @ 1V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AB, TO-46-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-46
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 225°C

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2800V

Current - Average Rectified (Io)

4000A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.17V @ 3000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 2800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MMBD4448

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

AU02AV

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

453A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.96V @ 520A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

24mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Y4-M6

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

7pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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