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GA080TH65

GA080TH65

Nur als Referenz

Teilenummer GA080TH65
PNEDA Teilenummer GA080TH65
Beschreibung MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 6.930
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GA080TH65 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGA080TH65
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
GA080TH65, GA080TH65 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 274,1 KB)
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GA080TH65 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand6.5kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)80A
Current - On State (It (RMS)) (max.)139A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)-
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)100mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)-
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-2

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

53A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

550A, 600A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

FO-T-A

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

545A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1294A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

300mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

16500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

1A

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

WC-500

PS430615

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

-

Anzahl der SCRs, Dioden

-

Spannung - Aus Zustand

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

VS-VSKH105/10

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

105A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

235A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A, 2094A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3)

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

WC-501

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