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G2SB80-E3/51

G2SB80-E3/51

Nur als Referenz

Teilenummer G2SB80-E3/51
PNEDA Teilenummer G2SB80-E3-51
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.950
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G2SB80-E3/51 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerG2SB80-E3/51
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
G2SB80-E3/51, G2SB80-E3/51 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 84,29 KB)
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G2SB80-E3/51 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)800V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 750mA
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 600V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBL
LieferantengerätepaketGBL

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Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, JB

Lieferantengerätepaket

JB

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL

DBLS152G RDG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

DBLS

GBPC2508W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, GBPC-W

Lieferantengerätepaket

GBPC-W

M3P75A-140

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.4kV

Current - Average Rectified (Io)

75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 75A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1400V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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