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G2SB60L-5752E3/45

G2SB60L-5752E3/45

Nur als Referenz

Teilenummer G2SB60L-5752E3/45
PNEDA Teilenummer G2SB60L-5752E3-45
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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G2SB60L-5752E3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerG2SB60L-5752E3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
G2SB60L-5752E3/45, G2SB60L-5752E3/45 Datenblatt (Total Pages: 62, Größe: 1.194,02 KB)
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G2SB60L-5752E3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 750mA
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GBL
LieferantengerätepaketGBL

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GSIB-5S

Lieferantengerätepaket

GSIB-5S

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 200V

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP

Lieferantengerätepaket

-

UR4KB80-B C2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-ESIP

Lieferantengerätepaket

D3K

GBJ801

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBJ

Lieferantengerätepaket

GBJ

VS-26MT120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.2kV

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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