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FZ1600R17KE3B2NOSA1

FZ1600R17KE3B2NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FZ1600R17KE3B2NOSA1
PNEDA Teilenummer FZ1600R17KE3B2NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1700V 1600A
Hersteller Infineon Technologies
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FZ1600R17KE3B2NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFZ1600R17KE3B2NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FZ1600R17KE3B2NOSA1, FZ1600R17KE3B2NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 437,13 KB)
PDFFZ1600R17KE3B2NOSA1 Datenblatt Cover
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FZ1600R17KE3B2NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
Eingabe-
NTC-Thermistor-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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FS450R17OE4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™+

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

630A

Leistung - max

2400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

36nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FD600R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

4300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT450DU60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

550A

Leistung - max

1750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

VS-40MT120UHAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

463W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.91V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.28nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

12-MTP Module

Lieferantengerätepaket

MTP

CM800HA-24H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

4800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

180nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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