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FZ1200R17KF6CB2NOSA1

FZ1200R17KF6CB2NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FZ1200R17KF6CB2NOSA1
PNEDA Teilenummer FZ1200R17KF6CB2NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1700V 1200A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.236
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFZ1200R17KF6CB2NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FZ1200R17KF6CB2NOSA1, FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 393,11 KB)
PDFFZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Cover
FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Seite 2 FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Seite 3 FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Seite 4 FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Seite 5 FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Seite 6 FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Seite 7 FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Seite 8

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FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
Eingabe-
NTC-Thermistor-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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APTGV50H60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Boost Chopper, Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Leistung - max

70W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

850nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E1

Lieferantengerätepaket

E1

APTGTQ100A65T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP1

FS10R06VE3B2BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Leistung - max

50W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

550pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Leistung - max

205W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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