FW231A-TL-E
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| Teilenummer | FW231A-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | FW231A-TL-E |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP |
| Hersteller | SANYO Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.510 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FW231A-TL-E Ressourcen
| Marke | SANYO Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FW231A-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FW231A-TL-E Technische Daten
| Hersteller | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1530pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.3W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
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