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FT93C66A-UDR-B

FT93C66A-UDR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT93C66A-UDR-B
PNEDA Teilenummer FT93C66A-UDR-B
Beschreibung IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 14 - Apr 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FT93C66A-UDR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT93C66A-UDR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT93C66A-UDR-B, FT93C66A-UDR-B Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 209,92 KB)
PDFFT93C66A-ITR-T Datenblatt Cover
FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 2 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 3 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 4 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 5 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 6 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 7 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 8 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 9 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 10 FT93C66A-ITR-T Datenblatt Seite 11

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FT93C66A-UDR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (512 x 8, 256 x 16)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz2MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichertyp

Volatile

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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