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FT25C64A-USR-T

FT25C64A-USR-T

Nur als Referenz

Teilenummer FT25C64A-USR-T
PNEDA Teilenummer FT25C64A-USR-T
Beschreibung IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 185.616
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 16 - Jan 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT25C64A-USR-T Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT25C64A-USR-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT25C64A-USR-T, FT25C64A-USR-T Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 233,12 KB)
PDFFT25C64A-UTR-B Datenblatt Cover
FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 2 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 3 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 4 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 5 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 6 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 7 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 8 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 9 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 10 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 11

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FT25C64A-USR-T Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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