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FT25C64A-USR-T

FT25C64A-USR-T

Nur als Referenz

Teilenummer FT25C64A-USR-T
PNEDA Teilenummer FT25C64A-USR-T
Beschreibung IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 185.616
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT25C64A-USR-T Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT25C64A-USR-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT25C64A-USR-T, FT25C64A-USR-T Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 233,12 KB)
PDFFT25C64A-UTR-B Datenblatt Cover
FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 2 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 3 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 4 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 5 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 6 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 7 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 8 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 9 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 10 FT25C64A-UTR-B Datenblatt Seite 11

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FT25C64A-USR-T Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

70V5388S100BC

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Quad Port, Synchronous

Speichergröße

1.125Mb (64K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

MT47H64M16HR-3:E TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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