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FT25C08A-UTR-B

FT25C08A-UTR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT25C08A-UTR-B
PNEDA Teilenummer FT25C08A-UTR-B
Beschreibung IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8TSSOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 3.222
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT25C08A-UTR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT25C08A-UTR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT25C08A-UTR-B, FT25C08A-UTR-B Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 398,78 KB)
PDFFT25C08A-UTR-B Datenblatt Cover
FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 2 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 3 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 4 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 5 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 6 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 7 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 8 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 9 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 10 FT25C08A-UTR-B Datenblatt Seite 11

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FT25C08A-UTR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße8Kb (1K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-TWBGA (8x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

90-TFBGA (8x13)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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