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FT24C256A-USG-T

FT24C256A-USG-T

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C256A-USG-T
PNEDA Teilenummer FT24C256A-USG-T
Beschreibung IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 4.356
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT24C256A-USG-T Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C256A-USG-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C256A-USG-T, FT24C256A-USG-T Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 882,57 KB)
PDFFT24C256A-UTG-T Datenblatt Cover
FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 2 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 3 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 4 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 5 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 6 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 7 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 8 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 9 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 10 FT24C256A-UTG-T Datenblatt Seite 11

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FT24C256A-USG-T Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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