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FT24C16A-UDR-B

FT24C16A-UDR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C16A-UDR-B
PNEDA Teilenummer FT24C16A-UDR-B
Beschreibung IC EEPROM 16K I2C 1MHZ 8DIP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT24C16A-UDR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C16A-UDR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C16A-UDR-B, FT24C16A-UDR-B Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 315,68 KB)
PDFFT24C04A-ETR-T Datenblatt Cover
FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 2 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 3 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 4 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 5 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 6 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 7 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 8 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 9 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 10 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 11

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FT24C16A-UDR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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Alliance Memory, Inc.

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6.7ns

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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