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FT24C08A-UNR-T

FT24C08A-UNR-T

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C08A-UNR-T
PNEDA Teilenummer FT24C08A-UNR-T
Beschreibung IC EEPROM 8K I2C 1MHZ 8DFN
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 7.938
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT24C08A-UNR-T Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C08A-UNR-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C08A-UNR-T, FT24C08A-UNR-T Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 315,68 KB)
PDFFT24C04A-ETR-T Datenblatt Cover
FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 2 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 3 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 4 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 5 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 6 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 7 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 8 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 9 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 10 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 11

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FT24C08A-UNR-T Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße8Kb (1K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-DFN (2x3)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

S29PL127J70BAW023

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-VFBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (8x11.6)

IS43TR16640B-107MBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-TWBGA (9x13)

AS4C256M16D3L-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-VFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (9x13)

SST39SF040-45-4C-NHE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

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