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FT24C08A-UMR-B

FT24C08A-UMR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C08A-UMR-B
PNEDA Teilenummer FT24C08A-UMR-B
Beschreibung IC EEPROM 8K I2C 1MHZ 8MSOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 7.728
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT24C08A-UMR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C08A-UMR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C08A-UMR-B, FT24C08A-UMR-B Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 315,68 KB)
PDFFT24C04A-ETR-T Datenblatt Cover
FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 2 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 3 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 4 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 5 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 6 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 7 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 8 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 9 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 10 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 11

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FT24C08A-UMR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße8Kb (1K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket8-MSOP

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Speichertyp

Non-Volatile

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

DS1249Y-85IND

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-EDIP

MT53D4DANY-DC TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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