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FT24C02A-5PR-T

FT24C02A-5PR-T

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C02A-5PR-T
PNEDA Teilenummer FT24C02A-5PR-T
Beschreibung IC EEPROM 2K I2C 1MHZ TSOT23-5
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 3.474
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT24C02A-5PR-T Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C02A-5PR-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C02A-5PR-T, FT24C02A-5PR-T Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 297,33 KB)
PDFFT24C02A-UNR-T Datenblatt Cover
FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 2 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 3 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 4 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 5 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 6 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 7 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 8 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 9 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 10 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 11

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FT24C02A-5PR-T Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (256 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
LieferantengerätepaketTSOT-23-5

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Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200ns

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

96ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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