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FS75R12KT4B15BOSA1

FS75R12KT4B15BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FS75R12KT4B15BOSA1
PNEDA Teilenummer FS75R12KT4B15BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 75A
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $1.487,9697
50 ---------- $1.418,2211
100 ---------- $1.348,4725
200 ---------- $1.278,7239
400 ---------- $1.220,6001
500 ---------- $1.162,4763
Auf Lager 2.279
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FS75R12KT4B15BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFS75R12KT4B15BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FS75R12KT4B15BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Leistung - max385W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce4.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT30SK170T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FZ600R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

3000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS75R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

385W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM200DY-24A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

1340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

35nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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