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FS75R12KE3GBOSA1

FS75R12KE3GBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FS75R12KE3GBOSA1
PNEDA Teilenummer FS75R12KE3GBOSA1
Beschreibung MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $1.586,6684
50 ---------- $1.512,2933
100 ---------- $1.437,9183
200 ---------- $1.363,5432
400 ---------- $1.301,5639
500 ---------- $1.239,5847
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FS75R12KE3GBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFS75R12KE3GBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FS75R12KE3GBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max355W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT150A120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGT100DU170TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

FZ600R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

3350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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