FS200R12KT4RB11BOSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | FS200R12KT4RB11BOSA1 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | FS200R12KT4RB11BOSA1 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | IGBT MODULE VCES 600V 200A | ||||||||||||||||||
Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 8.805 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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FS200R12KT4RB11BOSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FS200R12KT4RB11BOSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
Datenblatt |
FS200R12KT4RB11BOSA1, FS200R12KT4RB11BOSA1 Datenblatt
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FS200R12KT4RB11BOSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | Three Phase Inverter |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 280A |
Leistung - max | 1000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Leistung - max 270W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2.7mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.5nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
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