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FS200R07N3E4RBOSA1

FS200R07N3E4RBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FS200R07N3E4RBOSA1
PNEDA Teilenummer FS200R07N3E4RBOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 200A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.578
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FS200R07N3E4RBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFS200R07N3E4RBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FS200R07N3E4RBOSA1, FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 716,15 KB)
PDFFS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Cover
FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 2 FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 3 FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 4 FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 5 FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 6 FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 7 FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 8 FS200R07N3E4RBOSA1 Datenblatt Seite 9

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FS200R07N3E4RBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Leistung - max600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

370A

Leistung - max

1950W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FMG2G300US60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

892W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

7PM-IA

Lieferantengerätepaket

7PM-IA

APTGT75SK120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

APTGLQ50VDA65T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

175W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Leistung - max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y4-M5

Lieferantengerätepaket

Y4-M5

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