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FS100R12PT4BOSA1

FS100R12PT4BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FS100R12PT4BOSA1
PNEDA Teilenummer FS100R12PT4BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 100A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.192
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FS100R12PT4BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFS100R12PT4BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FS100R12PT4BOSA1, FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 804,57 KB)
PDFFS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Cover
FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 2 FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 3 FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 4 FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 5 FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 6 FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 7 FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 8 FS100R12PT4BOSA1 Datenblatt Seite 9

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FS100R12PT4BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)135A
Leistung - max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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FS100R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTCV90TL12T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Level Inverter - IGBT, FET

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.77nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

CM300DY-24A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

47nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP35R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Leistung - max

215W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF180A60TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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