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FR2J-TP

FR2J-TP

Nur als Referenz

Teilenummer FR2J-TP
PNEDA Teilenummer FR2J-TP
Beschreibung DIODE 2A 600V SMB DO-214AA
Hersteller Micro Commercial Co
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FR2J-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFR2J-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FR2J-TP, FR2J-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 429,46 KB)
PDFFR2M-TP Datenblatt Cover
FR2M-TP Datenblatt Seite 2 FR2M-TP Datenblatt Seite 3 FR2M-TP Datenblatt Seite 4

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FR2J-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)250ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.40pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketDO-214AA, HSMB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-50°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.16V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

13pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DO-221BC (SMPA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

MBR7580

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 75A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RS3M-13-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

CCS15S30,L3QUF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0603 (1608 Metric)

Lieferantengerätepaket

CST2C

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

NTS1245MFST1G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

120µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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