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FR16GR02

FR16GR02

Nur als Referenz

Teilenummer FR16GR02
PNEDA Teilenummer FR16GR02
Beschreibung DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 4.752
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FR16GR02 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFR16GR02
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FR16GR02, FR16GR02 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 795,1 KB)
PDFFR16JR02 Datenblatt Cover
FR16JR02 Datenblatt Seite 2 FR16JR02 Datenblatt Seite 3

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FR16GR02 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 16A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AA, DO-4, Stud
LieferantengerätepaketDO-4
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

90µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123FL

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SSA34HE3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

490mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

FR12J05

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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