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FQU2N90TU-WS

FQU2N90TU-WS

Nur als Referenz

Teilenummer FQU2N90TU-WS
PNEDA Teilenummer FQU2N90TU-WS
Beschreibung MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
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FQU2N90TU-WS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQU2N90TU-WS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQU2N90TU-WS, FQU2N90TU-WS Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 2.037,43 KB)
PDFFQU2N90TU-AM002 Datenblatt Cover
FQU2N90TU-AM002 Datenblatt Seite 2 FQU2N90TU-AM002 Datenblatt Seite 3 FQU2N90TU-AM002 Datenblatt Seite 4 FQU2N90TU-AM002 Datenblatt Seite 5 FQU2N90TU-AM002 Datenblatt Seite 6 FQU2N90TU-AM002 Datenblatt Seite 7 FQU2N90TU-AM002 Datenblatt Seite 8

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FQU2N90TU-WS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IRF7477TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2710pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hersteller

IXYS

Serie

Polar™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1207pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RJK5031DPD-00#J2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40.3W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

MP-3A

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQPF9N90C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SPP08N80C3XK

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 470µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

LM2904AQTH-13

LM2904AQTH-13

Diodes Incorporated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOP

EPM7128STC100-15N

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Intel

IC CPLD 128MC 15NS 100TQFP

PIC18F1220-I/SO

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

SMBJ26A-E3/52

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

744314150

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Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

M24M01-RMN6P

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STMicroelectronics

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO

LQH43CN100K03L

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Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

LFE3-17EA-6MG328C

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Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 116 I/O 328CSBGA

SRN6045TA-470M

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Bourns

FIXED IND 47UH 1.6A 200 MOHM SMD

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

STM32F091VBT6

STM32F091VBT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP

ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3