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FQU13N06LTU

FQU13N06LTU

Nur als Referenz

Teilenummer FQU13N06LTU
PNEDA Teilenummer FQU13N06LTU
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
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FQU13N06LTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQU13N06LTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQU13N06LTU, FQU13N06LTU Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.008,89 KB)
PDFFQD13N06LTM Datenblatt Cover
FQD13N06LTM Datenblatt Seite 2 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 3 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 4 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 5 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 6 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 7 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 8 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 9 FQD13N06LTM Datenblatt Seite 10

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FQU13N06LTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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NVMFS4841NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1436pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 112W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

APT30N60SC6

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 960µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2267pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

219W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPA60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 630µ

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SI2342DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1070pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI4894BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1580pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

T520V337M2R5ATE009

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CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

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IC RECEIVER 0/4 16SO

ATMEGA1280-16AU

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP

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THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

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IC REG BUCK ADJ 2A TSOT23-8

WSL25125L000FTA

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Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 800MA 8SOIC

74HC273D

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Toshiba Semiconductor and Storage

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC

MAX3645EEE+T

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Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

20IMX35D05D05-8G

20IMX35D05D05-8G

Bel Power Solutions

DC DC CONVERTER 5V 5V 5V 35W

SMDB3

SMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 1A SOT23-3

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MPZ2012S300AT000

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FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN