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FQPF12N60CT

FQPF12N60CT

Nur als Referenz

Teilenummer FQPF12N60CT
PNEDA Teilenummer FQPF12N60CT
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
Hersteller ON Semiconductor
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FQPF12N60CT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQPF12N60CT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQPF12N60CT, FQPF12N60CT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.170,05 KB)
PDFFQPF12N60C Datenblatt Cover
FQPF12N60C Datenblatt Seite 2 FQPF12N60C Datenblatt Seite 3 FQPF12N60C Datenblatt Seite 4 FQPF12N60C Datenblatt Seite 5 FQPF12N60C Datenblatt Seite 6 FQPF12N60C Datenblatt Seite 7 FQPF12N60C Datenblatt Seite 8 FQPF12N60C Datenblatt Seite 9 FQPF12N60C Datenblatt Seite 10

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FQPF12N60CT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2290pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)51W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

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FQD7P06TM_NB82050

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

451mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

157nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

694W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

Paket / Fall

PLUS-220SMD

STP140N8F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6340pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

GP2M020A050H

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

290W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

IPL60R180P6AUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 750µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2080pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

176W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-VSON-4

Paket / Fall

4-PowerTSFN

Kürzlich verkauft

NC7WZ16P6X

NC7WZ16P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

LT1963AEST-3.3#TRPBF

LT1963AEST-3.3#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

ADP5054ACPZ-R7

ADP5054ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 48LFCSP

TS4984IQT

TS4984IQT

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO PWR 1.2W AB 16TQFN

LSXH4L

LSXH4L

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 120V

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

ADP1864AUJZ-R7

ADP1864AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK TSOT23-6

MOCD207R2M

MOCD207R2M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC

OP2177ARMZ-R7

OP2177ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

3214W-1-502E

3214W-1-502E

Bourns

TRIMMER 5K OHM 0.25W J LEAD TOP

MC68060RC50

MC68060RC50

NXP

IC MPU M680X0 50MHZ 206PGA