FQI3P50TU
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Teilenummer | FQI3P50TU |
PNEDA Teilenummer | FQI3P50TU |
Beschreibung | MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
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Auf Lager | 7.938 |
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FQI3P50TU Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FQI3P50TU |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FQI3P50TU Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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