FQI34P10TU
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| Teilenummer | FQI34P10TU |
| PNEDA Teilenummer | FQI34P10TU |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQI34P10TU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQI34P10TU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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FQI34P10TU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 33.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16.75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2910pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller STMicroelectronics Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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