Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQI1P50TU

FQI1P50TU

Nur als Referenz

Teilenummer FQI1P50TU
PNEDA Teilenummer FQI1P50TU
Beschreibung MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.428
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQI1P50TU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQI1P50TU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQI1P50TU Datasheet
  • where to find FQI1P50TU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQI1P50TU
  • FQI1P50TU PDF Datasheet
  • FQI1P50TU Stock

  • FQI1P50TU Pinout
  • Datasheet FQI1P50TU
  • FQI1P50TU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQI1P50TU Price
  • FQI1P50TU Distributor

FQI1P50TU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.13W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TSM026NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

168A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2540pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PDFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IXFK48N55

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

550V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

560W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

720mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

Paket / Fall

PLUS-220SMD

NVTFWS003N04CTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Ta), 103A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

APT20M45BVRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

56A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

7447709680

7447709680

Wurth Electronics

FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

ADP125ARHZ-R7

ADP125ARHZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8MSOP

AD7495AR

AD7495AR

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 8SOIC

MAX3160EAP+T

MAX3160EAP+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

VLMRGB343-ST-UV-RS

VLMRGB343-ST-UV-RS

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RGB 4PLCC SMD

DG4157DL-T1-E3

DG4157DL-T1-E3

Vishay Siliconix

IC SWITCH SGL SPDT LV SC70-6

TS922IDT

TS922IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

MIC29302BU

MIC29302BU

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO263-5

ISL80103IRAJZ

ISL80103IRAJZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 10DFN