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FQI17N08TU

FQI17N08TU

Nur als Referenz

Teilenummer FQI17N08TU
PNEDA Teilenummer FQI17N08TU
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.060
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQI17N08TU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQI17N08TU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQI17N08TU, FQI17N08TU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 614,36 KB)
PDFFQB17N08TM Datenblatt Cover
FQB17N08TM Datenblatt Seite 2 FQB17N08TM Datenblatt Seite 3 FQB17N08TM Datenblatt Seite 4 FQB17N08TM Datenblatt Seite 5 FQB17N08TM Datenblatt Seite 6 FQB17N08TM Datenblatt Seite 7 FQB17N08TM Datenblatt Seite 8 FQB17N08TM Datenblatt Seite 9

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FQI17N08TU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.16.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.13W (Ta), 65W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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BSS123LT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

225mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPI076N15N5AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

AOI21357

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2830pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.2W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251A

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

SI2316DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

215pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMP32D4S-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

51.16pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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